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Si4814BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS
40
25 °C, unless otherwise noted
40
35
30
25
20
15
10
V GS = 10 thru 4 V
35
30
25
20
15
10
T C = 125 °C
5
3V
5
25 °C
- 55 °C
0
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.025
0.022
0.019
0.016
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1400
1120
840
560
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.013
0.010
280
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
6
I D – Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
I D = 7.8 A
1.4
V GS = 10 V and 4.5 V
I D = 7.8 A
V DS = 10 V
4
1.2
V DS = 15 V
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0.0
2.2
4.4
6.6
8.8
11.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g – Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73278
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09
T J – Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
7
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